技術文章
半導體芯片、微電子器件各類功能薄膜的厚度管控,直接決定晶體管電學性能,柵氧層、鈍化層、光刻膠、介質(zhì)薄膜納米尺度波動,極易造成漏電、閾值漂移、工藝良率下滑。傳統(tǒng)接觸式臺階儀極易劃傷晶圓表面,無法滿足精密制程需求。藍景 LJ-FT50 系列反射膜厚儀,基于白光干涉光譜反射原理,實現(xiàn)晶圓薄膜無損、高精度快速檢測,是半導體制程研發(fā)與產(chǎn)線質(zhì)控核心設備。
設備工作時,寬譜入射光抵達晶圓鍍膜表面,薄膜上下界面反射光形成干涉特征光譜;光譜模塊高速采集信號,依托優(yōu)化擬合算法解析膜層厚度與折射率,非接觸式測量方式,完整保護晶圓圖形化結構與脆弱薄膜。LJ-FT50UV 氘鹵紫外機型覆蓋深紫外波段,特別適配超薄柵介質(zhì)、薄層光刻膠測量,可精準識別 20nm 薄膜;最高 100Hz 采樣速率,滿足晶圓多點 Mapping 掃描需求。整機抗振動光學架構,適配潔凈車間流水線復雜工況,重復精度穩(wěn)定至 0.05nm,保障批次數(shù)據(jù)一致性。


儀器提供彌散光斑與微米級聚焦光斑兩種探頭方案。彌散光斑適用于整片晶圓大面積均勻性篩查;200μm 聚焦光斑專門應對芯片微區(qū)、分立器件局部薄膜點位檢測。探頭安裝方式靈活,體積輕便,既可放置于研發(fā)實驗室開展工藝實驗,也可搭配位移平臺集成真空鍍膜、涂膠產(chǎn)線,實現(xiàn)在線實時監(jiān)控。軟件支持自定義多層膜模型,能夠同步解析多層堆疊介質(zhì)膜結構,完整記錄檢測數(shù)據(jù),便于工藝追溯。
適用于硅基晶圓、第三代半導體 SiC/GaN 外延層、光刻膠、氧化硅、氮化硅鈍化膜等樣品檢測,覆蓋 CVD、PVD、旋涂光刻全流程工藝驗證。藍景反射膜厚儀憑借寬量程、高分辨率、無損檢測優(yōu)勢,助力半導體企業(yè)精準監(jiān)控鍍膜工藝參數(shù),及時發(fā)現(xiàn)膜厚不均勻、沉積異常問題,穩(wěn)定提升芯片生產(chǎn)良率,支撐先進微電子工藝持續(xù)迭代。
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